国产三极管参数   540   50   6/11页         6   7   8   9   10      GO 
材料:Si-PNP主要用途:低频放大PCM/mW(PCM/W):(50)ICM/mA(ICM/A):(5)BVcbo/V(BVceo/V):100BVebo/V:4hFE(β):15fT/MHz(fβ...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:高速及中速开关电路PCM/mW(PCM/W):100ICM/mA(ICM/A):60BVcbo/V(BVceo/V):15BVebo/V:4hFE(β):30~150fT/...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:高速及中速开关电路PCM/mW(PCM/W):100ICM/mA(ICM/A):60BVcbo/V(BVceo/V):20BVebo/V:4hFE(β):30~150fT/...
类别:国产三极管参数  人 气:3  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:高速及中速开关电路PCM/mW(PCM/W):100ICM/mA(ICM/A):60BVcbo/V(BVceo/V):20BVebo/V:3hFE(β):30~200fT/...
类别:国产三极管参数  人 气:9  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:高速及中速脉冲开关电路PCM/mW(PCM/W):100ICM/mA(ICM/A):70BVcbo/V(BVceo/V):25BVebo/V:5hFE(β):30~150f...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低电平中速开关电路PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):30BVcbo/V(BVceo/V):15BVebo/V:4hFE(β):30~150fT/M...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低电平中速开关电路PCM/mW(PCM/W):60ICM/mA(ICM/A):35BVcbo/V(BVceo/V):15BVebo/V:4hFE(β):30~150fT/M...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:短波超短波功率放大及其他通信设备PCM/mW(PCM/W):(3)ICM/mA(ICM/A):400BVcbo/V(BVceo/V):35BVebo/V:1.5hFE(β)...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:短波超短波功率放大及其他通信设备PCM/mW(PCM/W):(3)ICM/mA(ICM/A):400BVcbo/V(BVceo/V):30BVebo/V:1hFE(β):3...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(1.2)ICM/mA(ICM/A):100BVcbo/V(BVceo/V):300BVebo/V:5hFE(β):40~320fT...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(140)ICM/mA(ICM/A):(17)BVcbo/V(BVceo/V):150BVebo/V:5hFE(β):40fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:2  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(150)ICM/mA(ICM/A):(17)BVcbo/V(BVceo/V):100BVebo/V:5hFE(β):40fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(200)ICM/mA(ICM/A):(17)BVcbo/V(BVceo/V):230BVebo/V:5hFE(β):40fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:18  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:功率放大PCM/mW(PCM/W):(100)ICM/mA(ICM/A):(15)BVcbo/V(BVceo/V):100BVebo/V:7hFE(β):60~120fT/...
类别:国产三极管参数  人 气:2  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(1.2)ICM/mA(ICM/A):(1.5)BVcbo/V(BVceo/V):150BVebo/V:6hFE(β):60~320...
类别:国产三极管参数  人 气:15  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:功率放大PCM/mW(PCM/W):(25)ICM/mA(ICM/A):(1.5)BVcbo/V(BVceo/V):150BVebo/V:5hFE(β):40~140fT/...
类别:国产三极管参数  人 气:50  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(1.5)ICM/mA(ICM/A):50BVcbo/V(BVceo/V):300BVebo/V:5hFE(β):30~200fT/...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(1.2)ICM/mA(ICM/A):(1)BVcbo/V(BVceo/V):35BVebo/V:5hFE(β):85~340fT/...
类别:国产三极管参数  人 气:41  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(1.25)ICM/mA(ICM/A):100BVcbo/V(BVceo/V):300BVebo/V:5hFE(β):30~200f...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(1)ICM/mA(ICM/A):50BVcbo/V(BVceo/V):45BVebo/V:4hFE(β):20~100fT/MHz...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(1)ICM/mA(ICM/A):50BVcbo/V(BVceo/V):125BVebo/V:5hFE(β):60~320fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:3  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(1)ICM/mA(ICM/A):(1)BVcbo/V(BVceo/V):50BVebo/V:5hFE(β):40~240fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:3  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(1)ICM/mA(ICM/A):100BVcbo/V(BVceo/V):250BVebo/V:7hFE(β):30fT/MHz(f...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低频放大PCM/mW(PCM/W):500ICM/mA(ICM/A):500BVcbo/V(BVceo/V):45BVebo/V:20hFE(β):40~150fT/MHz...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低频功率放大PCM/mW(PCM/W):(1)ICM/mA(ICM/A):500BVcbo/V(BVceo/V):32BVebo/V:20hFE(β):40~150fT/M...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低频功率放大PCM/mW(PCM/W):(1)ICM/mA(ICM/A):500BVcbo/V(BVceo/V):25BVebo/V:20hFE(β):40~150fT/M...
类别:国产三极管参数  人 气:3  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低频功率放大PCM/mW(PCM/W):(1)ICM/mA(ICM/A):500BVcbo/V(BVceo/V):18BVebo/V:20hFE(β):40~150fT/M...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频功率放大及电压调整PCM/mW(PCM/W):(1)ICM/mA(ICM/A):100BVcbo/V(BVceo/V):150BVebo/V:4hFE(β):20fT/...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频功率放大等PCM/mW(PCM/W):(1)ICM/mA(ICM/A):100BVcbo/V(BVceo/V):130BVebo/V:--hFE(β):20fT/MHz...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频功率放大及电压调整PCM/mW(PCM/W):(1)ICM/mA(ICM/A):100BVcbo/V(BVceo/V):100BVebo/V:4hFE(β):20fT/...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频功率放大等PCM/mW(PCM/W):(1)ICM/mA(ICM/A):100BVcbo/V(BVceo/V):60BVebo/V:4hFE(β):20fT/MHz(f...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频功率放大等PCM/mW(PCM/W):(1)ICM/mA(ICM/A):100BVcbo/V(BVceo/V):40BVebo/V:4hFE(β):20fT/MHz(f...
类别:国产三极管参数  人 气:9  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频功率放大及电压调整PCM/mW(PCM/W):(7.5)ICM/mA(ICM/A):(1)BVcbo/V(BVceo/V):45BVebo/V:4hFE(β):20~1...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频功率放大及电压调整PCM/mW(PCM/W):(5)ICM/mA(ICM/A):500BVcbo/V(BVceo/V):40BVebo/V:4hFE(β):30fT/M...
类别:国产三极管参数  人 气:7  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频功率放大及电压调整PCM/mW(PCM/W):(1)ICM/mA(ICM/A):100BVcbo/V(BVceo/V):150BVebo/V:4hFE(β):20fT/...
类别:国产三极管参数  人 气:2  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(3)ICM/mA(ICM/A):(2)BVcbo/V(BVceo/V):30BVebo/V:4hFE(β):--fT/MHz(fβ...
类别:国产三极管参数  人 气:3  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(3)ICM/mA(ICM/A):(2)BVcbo/V(BVceo/V):30BVebo/V:4hFE(β):--fT/MHz(fβ...
类别:国产三极管参数  人 气:3  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(1)ICM/mA(ICM/A):(1)BVcbo/V(BVceo/V):60BVebo/V:5hFE(β):55~400fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:2  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(1)ICM/mA(ICM/A):(1)BVcbo/V(BVceo/V):40BVebo/V:5hFE(β):55~400fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:3  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(1)ICM/mA(ICM/A):(1)BVcbo/V(BVceo/V):20BVebo/V:5hFE(β):55~400fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低中频放大PCM/mW(PCM/W):150ICM/mA(ICM/A):50BVcbo/V(BVceo/V):≥30BVebo/V:--hFE(β):25~150fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:3  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低中频放大PCM/mW(PCM/W):150ICM/mA(ICM/A):50BVcbo/V(BVceo/V):≥20BVebo/V:--hFE(β):25~150fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:3  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低中频放大PCM/mW(PCM/W):150ICM/mA(ICM/A):50BVcbo/V(BVceo/V):≥20BVebo/V:--hFE(β):25~150fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低中频放大PCM/mW(PCM/W):150ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):≥20BVebo/V:--hFE(β):25~150fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低频放大PCM/mW(PCM/W):150ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):≥12BVebo/V:--hFE(β):25~150fT/MHz...
类别:国产三极管参数  人 气:3  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低频放大PCM/mW(PCM/W):150ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):≥12BVebo/V:--hFE(β):25~150fT/MHz...
类别:国产三极管参数  人 气:2  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低频放大PCM/mW(PCM/W):150ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):≥12BVebo/V:--hFE(β):30~150fT/MHz...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低频放大PCM/mW(PCM/W):150ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):≥12BVebo/V:--hFE(β):20~150fT/MHz...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低频放大PCM/mW(PCM/W):60ICM/mA(ICM/A):30BVcbo/V(BVceo/V):≥15BVebo/V:--hFE(β):25~100fT/MHz(...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低频放大PCM/mW(PCM/W):150ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):≥10BVebo/V:--hFE(β):≥30fT/MHz(fβ...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
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