国产三极管参数   540   50   4/11页      1   2   3   4   5         GO 
材料:Si-PNP主要用途:功率放大和电源变换电路PCM/mW(PCM/W):(100)ICM/mA(ICM/A):(10)BVcbo/V(BVceo/V):150BVebo/V:4hFE(β):10...
类别:国产三极管参数  人 气:9  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:功率放大和电源变换PCM/mW(PCM/W):(100)ICM/mA(ICM/A):(10)BVcbo/V(BVceo/V):120BVebo/V:4hFE(β):10~3...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:功率放大和电源变换PCM/mW(PCM/W):(100)ICM/mA(ICM/A):(10)BVcbo/V(BVceo/V):100BVebo/V:4hFE(β):10~3...
类别:国产三极管参数  人 气:9  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:功率放大和电源变换PCM/mW(PCM/W):(100)ICM/mA(ICM/A):(10)BVcbo/V(BVceo/V):80BVebo/V:4hFE(β):10~30...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:功率放大和电源变换电路PCM/mW(PCM/W):(100)ICM/mA(ICM/A):(10)BVcbo/V(BVceo/V):60BVebo/V:4hFE(β):10~...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:功率放大和电源变换电路PCM/mW(PCM/W):(100)ICM/mA(ICM/A):(10)BVcbo/V(BVceo/V):40BVebo/V:4hFE(β):10~...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频功率放大及电压调整PCM/mW(PCM/W):(75)ICM/mA(ICM/A):(7.5)BVcbo/V(BVceo/V):150BVebo/V:4hFE(β):10...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频功率放大及电压调整PCM/mW(PCM/W):(75)ICM/mA(ICM/A):(7.5)BVcbo/V(BVceo/V):120BVebo/V:4hFE(β):10...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频功率放大及电压调整PCM/mW(PCM/W):(75)ICM/mA(ICM/A):(7.5)BVcbo/V(BVceo/V):100BVebo/V:4hFE(β):10...
类别:国产三极管参数  人 气:7  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低电平中速开关电路PCM/mW(PCM/W):60ICM/mA(ICM/A):35BVcbo/V(BVceo/V):10BVebo/V:3hFE(β):30~200fT/M...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低电平中速开关电路PCM/mW(PCM/W):60ICM/mA(ICM/A):35BVcbo/V(BVceo/V):10BVebo/V:3hFE(β):30~200fT/M...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低电平中速开关电路PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):50BVcbo/V(BVceo/V):20BVebo/V:3hFE(β):30~70fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低电平中速开关电路PCM/mW(PCM/W):60ICM/mA(ICM/A):20BVcbo/V(BVceo/V):20BVebo/V:3hFE(β):30~150fT/M...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低电平中速开关电路PCM/mW(PCM/W):30ICM/mA(ICM/A):70BVcbo/V(BVceo/V):25BVebo/V:5hFE(β):30~150fT/M...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:高频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):10BVebo/V:1hFE(β):60~100fT/MHz(fβ...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:高频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):30BVcbo/V(BVceo/V):10BVebo/V:5hFE(β):40~60fT/MHz(fβ/...
类别:国产三极管参数  人 气:8  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:高频放大PCM/mW(PCM/W):60ICM/mA(ICM/A):--BVcbo/V(BVceo/V):≥12BVebo/V:≥2hFE(β):--fT/MHz(fβ/k...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:高频放大PCM/mW(PCM/W):60ICM/mA(ICM/A):--BVcbo/V(BVceo/V):≥12BVebo/V:≥1.5hFE(β):--fT/MHz(fβ...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:高频放大PCM/mW(PCM/W):60ICM/mA(ICM/A):--BVcbo/V(BVceo/V):≥12BVebo/V:≥1.5hFE(β):--fT/MHz(fβ...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:高频放大PCM/mW(PCM/W):60ICM/mA(ICM/A):--BVcbo/V(BVceo/V):≥12BVebo/V:≥1.5hFE(β):--fT/MHz(fβ...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:高频放大PCM/mW(PCM/W):60ICM/mA(ICM/A):--BVcbo/V(BVceo/V):≥10BVebo/V:≥1.5hFE(β):--fT/MHz(fβ...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:高频放大PCM/mW(PCM/W):60ICM/mA(ICM/A):--BVcbo/V(BVceo/V):≥10BVebo/V:≥1.5hFE(β):--fT/MHz(fβ...
类别:国产三极管参数  人 气:2  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:高频放大PCM/mW(PCM/W):60ICM/mA(ICM/A):--BVcbo/V(BVceo/V):≥10BVebo/V:≥1.5hFE(β):--fT/MHz(fβ...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(60)ICM/mA(ICM/A):(20)BVcbo/V(BVceo/V):90BVebo/V:7hFE(β):50~200fT/...
类别:国产三极管参数  人 气:12  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:功率放大及振荡PCM/mW(PCM/W):800ICM/mA(ICM/A):(5)BVcbo/V(BVceo/V):70BVebo/V:5hFE(β):20~120fT/M...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(1.5)ICM/mA(ICM/A):(10)BVcbo/V(BVceo/V):70BVebo/V:5hFE(β):20~120fT...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):800ICM/mA(ICM/A):(1)BVcbo/V(BVceo/V):80BVebo/V:5hFE(β):75fT/MHz(fβ...
类别:国产三极管参数  人 气:9  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):350ICM/mA(ICM/A):200BVcbo/V(BVceo/V):40BVebo/V:6hFE(β):70~300fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:66  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(1)ICM/mA(ICM/A):50BVcbo/V(BVceo/V):300BVebo/V:5hFE(β):20~200fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:3  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:甲、乙类功放PCM/mW(PCM/W):500ICM/mA(ICM/A):SKIBVcbo/V(BVceo/V):25BVebo/V:25hFE(β):30~200fT/M...
类别:国产三极管参数  人 气:3  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:甲、乙类功放PCM/mW(PCM/W):500ICM/mA(ICM/A):500BVcbo/V(BVceo/V):15BVebo/V:15hFE(β):40~150fT/M...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:甲、乙类功放PCM/mW(PCM/W):500ICM/mA(ICM/A):500BVcbo/V(BVceo/V):10BVebo/V:10hFE(β):30~200fT/M...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低频放大PCM/mW(PCM/W):600ICM/mA(ICM/A):500BVcbo/V(BVceo/V):≥20BVebo/V:≥10hFE(β):40~270fT/M...
类别:国产三极管参数  人 气:7  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低频放大PCM/mW(PCM/W):300ICM/mA(ICM/A):500BVcbo/V(BVceo/V):≥20BVebo/V:≥10hFE(β):40~180fT/M...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低频放大PCM/mW(PCM/W):300ICM/mA(ICM/A):500BVcbo/V(BVceo/V):≥18BVebo/V:≥10hFE(β):40~180fT/M...
类别:国产三极管参数  人 气:1  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低频放大PCM/mW(PCM/W):300ICM/mA(ICM/A):500BVcbo/V(BVceo/V):≥12BVebo/V:≥10hFE(β):40~180fT/M...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低频放大PCM/mW(PCM/W):500ICM/mA(ICM/A):500BVcbo/V(BVceo/V):≥30BVebo/V:≥20hFE(β):50~180fT/M...
类别:国产三极管参数  人 气:15  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低频放大PCM/mW(PCM/W):500ICM/mA(ICM/A):500BVcbo/V(BVceo/V):≥20BVebo/V:≥20hFE(β):30~200fT/M...
类别:国产三极管参数  人 气:25  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低频放大PCM/mW(PCM/W):700ICM/mA(ICM/A):700BVcbo/V(BVceo/V):35BVebo/V:20hFE(β):40~270fT/MHz...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低频放大PCM/mW(PCM/W):700ICM/mA(ICM/A):700BVcbo/V(BVceo/V):25BVebo/V:20hFE(β):40~270fT/MHz...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低频放大PCM/mW(PCM/W):700ICM/mA(ICM/A):700BVcbo/V(BVceo/V):15BVebo/V:20hFE(β):40~200fT/MHz...
类别:国产三极管参数  人 气:2  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:甲、乙类功放PCM/mW(PCM/W):500ICM/mA(ICM/A):500BVcbo/V(BVceo/V):(60)BVebo/V:10hFE(β):30~80fT/...
类别:国产三极管参数  人 气:2  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:甲、乙类功放PCM/mW(PCM/W):500ICM/mA(ICM/A):500BVcbo/V(BVceo/V):(50)BVebo/V:10hFE(β):30~80fT/...
类别:国产三极管参数  人 气:3  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低电平中速开关电路PCM/mW(PCM/W):60ICM/mA(ICM/A):35BVcbo/V(BVceo/V):15BVebo/V:4hFE(β):40~150fT/M...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低电平中速开关电路PCM/mW(PCM/W):60ICM/mA(ICM/A):35BVcbo/V(BVceo/V):20BVebo/V:3hFE(β):30~150fT/M...
类别:国产三极管参数  人 气:1  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低电平中速开关电路PCM/mW(PCM/W):60ICM/mA(ICM/A):35BVcbo/V(BVceo/V):15BVebo/V:3hFE(β):30~150fT/M...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低电平中速开关电路PCM/mW(PCM/W):60ICM/mA(ICM/A):35BVcbo/V(BVceo/V):15BVebo/V:3hFE(β):30~150fT/M...
类别:国产三极管参数  人 气:3  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低电平中速开关电路PCM/mW(PCM/W):60ICM/mA(ICM/A):35BVcbo/V(BVceo/V):15BVebo/V:3hFE(β):30~150fT/M...
类别:国产三极管参数  人 气:2  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低电平中速开关电路PCM/mW(PCM/W):60ICM/mA(ICM/A):35BVcbo/V(BVceo/V):15BVebo/V:3hFE(β):30~150fT/M...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:低电平中速开关电路PCM/mW(PCM/W):60ICM/mA(ICM/A):35BVcbo/V(BVceo/V):15BVebo/V:3hFE(β):30~150fT/M...
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