国产三极管参数   540   50   3/11页      1   2   3   4   5         GO 
材料:Ge-PNP主要用途:超高频放大PCM/mW(PCM/W):300ICM/mA(ICM/A):50BVcbo/V(BVceo/V):≥20BVebo/V:≥2hFE(β):≥25fT/MHz(f...
类别:国产三极管参数  人 气:8  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:超高频放大PCM/mW(PCM/W):300ICM/mA(ICM/A):50BVcbo/V(BVceo/V):≥15BVebo/V:≥1.5hFE(β):≥20fT/MHz...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(50)ICM/mA(ICM/A):(5)BVcbo/V(BVceo/V):150BVebo/V:4hFE(β):10fT/MHz(...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(50)ICM/mA(ICM/A):(5)BVcbo/V(BVceo/V):120BVebo/V:4hFE(β):10fT/MHz(...
类别:国产三极管参数  人 气:3  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(50)ICM/mA(ICM/A):(5)BVcbo/V(BVceo/V):90BVebo/V:4hFE(β):10fT/MHz(f...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(50)ICM/mA(ICM/A):(5)BVcbo/V(BVceo/V):60BVebo/V:4hFE(β):10fT/MHz(f...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(50)ICM/mA(ICM/A):(5)BVcbo/V(BVceo/V):30BVebo/V:3hFE(β):10fT/MHz(f...
类别:国产三极管参数  人 气:3  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(20)ICM/mA(ICM/A):(3)BVcbo/V(BVceo/V):150BVebo/V:4hFE(β):10fT/MHz(...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(20)ICM/mA(ICM/A):(3)BVcbo/V(BVceo/V):120BVebo/V:4hFE(β):10fT/MHz(...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频功率放大PCM/mW(PCM/W):(20)ICM/mA(ICM/A):(3)BVcbo/V(BVceo/V):90BVebo/V:4hFE(β):10fT/MHz(f...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:超高频放大PCM/mW(PCM/W):300ICM/mA(ICM/A):50BVcbo/V(BVceo/V):≥15BVebo/V:≥1hFE(β):≥15fT/MHz(f...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:超高频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):15BVebo/V:0.5hFE(β):30fT/MHz(fβ/...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:超高频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):15BVebo/V:0.5hFE(β):30fT/MHz(fβ/...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:超高频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):15BVebo/V:0.5hFE(β):30fT/MHz(fβ/...
类别:国产三极管参数  人 气:3  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:超高频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):15BVebo/V:0.5hFE(β):30fT/MHz(fβ/...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:超高频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):15BVebo/V:0.5hFE(β):30fT/MHz(fβ/...
类别:国产三极管参数  人 气:3  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:超高频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):15BVcbo/V(BVceo/V):20BVebo/V:15hFE(β):≥20fT/MHz(fβ/...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:超高频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):20BVebo/V:15hFE(β):≥20fT/MHz(fβ/...
类别:国产三极管参数  人 气:2  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:超高频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):20BVebo/V:15hFE(β):≥20fT/MHz(fβ/...
类别:国产三极管参数  人 气:3  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:超高频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):(≥25)BVebo/V:15hFE(β):≥20fT/MHz(...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:超高频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):(20)BVebo/V:15hFE(β):≥20fT/MHz(f...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:功率放大及振荡PCM/mW(PCM/W):(50)ICM/mA(ICM/A):(5)BVcbo/V(BVceo/V):30BVebo/V:3hFE(β):10fT/MHz(...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:功率放大及振荡PCM/mW(PCM/W):(10)ICM/mA(ICM/A):(1)BVcbo/V(BVceo/V):30BVebo/V:4hFE(β):10fT/MHz(...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:--主要用途:高频放大及振荡PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):50BVcbo/V(BVceo/V):≥30BVebo/V:≥4hFE(β):≥30fT/MHz(fβ/k...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频放大及振荡PCM/mW(PCM/W):500ICM/mA(ICM/A):50BVcbo/V(BVceo/V):18BVebo/V:4hFE(β):30fT/MHz(fβ...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频放大及振荡PCM/mW(PCM/W):500ICM/mA(ICM/A):50BVcbo/V(BVceo/V):45BVebo/V:4hFE(β):30fT/MHz(fβ...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频放大及振荡PCM/mW(PCM/W):500ICM/mA(ICM/A):50BVcbo/V(BVceo/V):30BVebo/V:4hFE(β):30fT/MHz(fβ...
类别:国产三极管参数  人 气:8  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频放大及振荡PCM/mW(PCM/W):500ICM/mA(ICM/A):50BVcbo/V(BVceo/V):30BVebo/V:4hFE(β):20fT/MHz(fβ...
类别:国产三极管参数  人 气:13  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频放大及振荡PCM/mW(PCM/W):500ICM/mA(ICM/A):50BVcbo/V(BVceo/V):18BVebo/V:4hFE(β):3fT/MHz(fβ/...
类别:国产三极管参数  人 气:10  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频放大及振荡PCM/mW(PCM/W):500ICM/mA(ICM/A):50BVcbo/V(BVceo/V):18BVebo/V:4hFE(β):20~200fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:25  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:功率放大PCM/mW(PCM/W):(1)ICM/mA(ICM/A):(1)BVcbo/V(BVceo/V):45BVebo/V:4hFE(β):40~180fT/MHz(...
类别:国产三极管参数  人 气:9  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:功率放大PCM/mW(PCM/W):(1)ICM/mA(ICM/A):(1)BVcbo/V(BVceo/V):30BVebo/V:4hFE(β):40~180fT/MHz(...
类别:国产三极管参数  人 气:8  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频放大、振荡、变频PCM/mW(PCM/W):100ICM/mA(ICM/A):100BVcbo/V(BVceo/V):15BVebo/V:15hFE(β):≥20fT/...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频放大、振荡、变频PCM/mW(PCM/W):100ICM/mA(ICM/A):100BVcbo/V(BVceo/V):15BVebo/V:15hFE(β):≥20fT/...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频放大、振荡、变频PCM/mW(PCM/W):100ICM/mA(ICM/A):100BVcbo/V(BVceo/V):20BVebo/V:20hFE(β):≥20fT/...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频放大、振荡、变频PCM/mW(PCM/W):100ICM/mA(ICM/A):100BVcbo/V(BVceo/V):20BVebo/V:20hFE(β):≥20fT/...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频放大、振荡、变频PCM/mW(PCM/W):100ICM/mA(ICM/A):100BVcbo/V(BVceo/V):18BVebo/V:15hFE(β):≥20fT/...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频放大、振荡、变频PCM/mW(PCM/W):100ICM/mA(ICM/A):100BVcbo/V(BVceo/V):18BVebo/V:15hFE(β):≥20fT/...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频放大、振荡、变频PCM/mW(PCM/W):700ICM/mA(ICM/A):50BVcbo/V(BVceo/V):20BVebo/V:4hFE(β):≥20fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:3  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频放大、振荡、变频PCM/mW(PCM/W):700ICM/mA(ICM/A):50BVcbo/V(BVceo/V):20BVebo/V:4hFE(β):≥20fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:3  日期:2008-02-18
材料:Si-NPN主要用途:高频放大、振荡、变频PCM/mW(PCM/W):700ICM/mA(ICM/A):50BVcbo/V(BVceo/V):25BVebo/V:4hFE(β):≥20fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频放大及电压调整PCM/mW(PCM/W):(1)ICM/mA(ICM/A):100BVcbo/V(BVceo/V):≥30BVebo/V:≥4hFE(β):≥20fT/...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频功率放大及电压调整PCM/mW(PCM/W):-10ICM/mA(ICM/A):(1.5)BVcbo/V(BVceo/V):180BVebo/V:4hFE(β):20f...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频功率放大及电压调整PCM/mW(PCM/W):(10)ICM/mA(ICM/A):(1.5)BVcbo/V(BVceo/V):140BVebo/V:4hFE(β):20...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:功率放大和电源变换电路PCM/mW(PCM/W):(10)ICM/mA(ICM/A):(1.5)BVcbo/V(BVceo/V):120BVebo/V:4hFE(β):20...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:功率放大和电源变换电路PCM/mW(PCM/W):(10)ICM/mA(ICM/A):(1.5)BVcbo/V(BVceo/V):100BVebo/V:4hFE(β):20...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:功率放大和电源变换电路PCM/mW(PCM/W):(10)ICM/mA(ICM/A):(1.5)BVcbo/V(BVceo/V):80BVebo/V:4hFE(β):20~...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:功率放大和电源变换电路PCM/mW(PCM/W):(10)ICM/mA(ICM/A):(1.5)BVcbo/V(BVceo/V):60BVebo/V:4hFE(β):20~...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:功率放大和电源变换电路PCM/mW(PCM/W):(10)ICM/mA(ICM/A):(1.5)BVcbo/V(BVceo/V):40BVebo/V:4hFE(β):20~...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:功率放大和电源变换电路PCM/mW(PCM/W):(25)ICM/mA(ICM/A):(2.5)BVcbo/V(BVceo/V):200BVebo/V:3hFE(β):10...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
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