国产三极管参数   540   50   11/11页         11   尾页   GO 
材料:Si-PNP主要用途:高频放大及振荡PCM/mW(PCM/W):300ICM/mA(ICM/A):50BVcbo/V(BVceo/V):15BVebo/V:4hFE(β):20fT/MHz(fβ...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频放大及振荡PCM/mW(PCM/W):300ICM/mA(ICM/A):50BVcbo/V(BVceo/V):35BVebo/V:4hFE(β):25fT/MHz(fβ...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:超高频放大PCM/mW(PCM/W):100ICM/mA(ICM/A):20BVcbo/V(BVceo/V):12BVebo/V:4hFE(β):30fT/MHz(fβ/k...
类别:国产三极管参数  人 气:2  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:超高频放大PCM/mW(PCM/W):100ICM/mA(ICM/A):15BVcbo/V(BVceo/V):12BVebo/V:3hFE(β):25fT/MHz(fβ/k...
类别:国产三极管参数  人 气:2  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频放大及振荡PCM/mW(PCM/W):300ICM/mA(ICM/A):50BVcbo/V(BVceo/V):40BVebo/V:4hFE(β):25fT/MHz(fβ...
类别:国产三极管参数  人 气:7  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:超高频放大PCM/mW(PCM/W):150ICM/mA(ICM/A):20BVcbo/V(BVceo/V):12BVebo/V:4hFE(β):30fT/MHz(fβ/k...
类别:国产三极管参数  人 气:2  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:超高频放大PCM/mW(PCM/W):150ICM/mA(ICM/A):20BVcbo/V(BVceo/V):12BVebo/V:4hFE(β):30fT/MHz(fβ/k...
类别:国产三极管参数  人 气:3  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:超高频放大PCM/mW(PCM/W):150ICM/mA(ICM/A):20BVcbo/V(BVceo/V):12BVebo/V:4hFE(β):30fT/MHz(fβ/k...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频放大及振荡PCM/mW(PCM/W):150ICM/mA(ICM/A):20BVcbo/V(BVceo/V):45BVebo/V:4hFE(β):30fT/MHz(fβ...
类别:国产三极管参数  人 气:9  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:超高频放大PCM/mW(PCM/W):300ICM/mA(ICM/A):30BVcbo/V(BVceo/V):15BVebo/V:4hFE(β):25fT/MHz(fβ/k...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:--主要用途:超高频放大PCM/mW(PCM/W):300ICM/mA(ICM/A):30BVcbo/V(BVceo/V):15BVebo/V:4hFE(β):30fT/MHz(fβ/kHz)f...
类别:国产三极管参数  人 气:2  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:低频放大PCM/mW(PCM/W):(30)ICM/mA(ICM/A):(3)BVcbo/V(BVceo/V):100BVebo/V:5hFE(β):15fT/MHz(fβ...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:低频放大PCM/mW(PCM/W):(30)ICM/mA(ICM/A):(3)BVcbo/V(BVceo/V):80BVebo/V:5hFE(β):15fT/MHz(fβ/...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频放大及振荡PCM/mW(PCM/W):100ICM/mA(ICM/A):15BVcbo/V(BVceo/V):40BVebo/V:4hFE(β):25fT/MHz(fβ...
类别:国产三极管参数  人 气:9  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频放大及振荡PCM/mW(PCM/W):300ICM/mA(ICM/A):30BVcbo/V(BVceo/V):--BVebo/V:4hFE(β):25~270fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频放大及振荡PCM/mW(PCM/W):100ICM/mA(ICM/A):40BVcbo/V(BVceo/V):30BVebo/V:6hFE(β):30~400fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:7  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频放大及振荡PCM/mW(PCM/W):100ICM/mA(ICM/A):15BVcbo/V(BVceo/V):25BVebo/V:6hFE(β):20~200fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:7  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频放大及振荡PCM/mW(PCM/W):100ICM/mA(ICM/A):15BVcbo/V(BVceo/V):15BVebo/V:6hFE(β):20~200fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:9  日期:2008-02-18
材料:Si-PNP主要用途:高频放大及振荡PCM/mW(PCM/W):300ICM/mA(ICM/A):30BVcbo/V(BVceo/V):--BVebo/V:4hFE(β):25~270fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:高频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):50BVcbo/V(BVceo/V):10BVebo/V:1.5hFE(β):30~250fT/MHz(...
类别:国产三极管参数  人 气:3  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:高频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):20BVebo/V:0.5hFE(β):20~250fT/MHz(...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:高频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):20BVebo/V:0.5hFE(β):20~250fT/MHz(...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:高频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):20BVebo/V:0.5hFE(β):20~250fT/MHz(...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:高频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):20BVebo/V:0.5hFE(β):20~250fT/MHz(...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:高频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):6BVebo/V:0.5hFE(β):≥20fT/MHz(fβ/k...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:高中频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):10BVebo/V:≥0.8hFE(β):20~400fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:高中频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):10BVebo/V:≥0.8hFE(β):20~400fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:高中频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):10BVebo/V:≥0.8hFE(β):20~400fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:高中频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):8BVebo/V:≥0.5hFE(β):≥12fT/MHz(fβ...
类别:国产三极管参数  人 气:7  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:混频高放PCM/mW(PCM/W):60ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):10BVebo/V:--hFE(β):30~250fT/MHz(f...
类别:国产三极管参数  人 气:12  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:混频高放PCM/mW(PCM/W):60ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):10BVebo/V:--hFE(β):30~250fT/MHz(f...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:混频高放PCM/mW(PCM/W):60ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):10BVebo/V:--hFE(β):30~250fT/MHz(f...
类别:国产三极管参数  人 气:7  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:中、高频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):10BVebo/V:≥0.8hFE(β):--fT/MHz(f...
类别:国产三极管参数  人 气:6  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:中、高频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):10BVebo/V:1hFE(β):30~250fT/MHz(...
类别:国产三极管参数  人 气:17  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:中、高频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):≥11BVebo/V:≥0.8hFE(β):40~270fT/...
类别:国产三极管参数  人 气:12  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:高频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):10BVebo/V:≥0.8hFE(β):30~200fT/MHz...
类别:国产三极管参数  人 气:13  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:中、高频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):≥11BVebo/V:≥0.8hFE(β):40~270fT/...
类别:国产三极管参数  人 气:4  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:中、高频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):≥10BVebo/V:≥0.8hFE(β):≥20fT/MHz...
类别:国产三极管参数  人 气:2  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:中、高频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):≥15BVebo/V:≥1hFE(β):30~200fT/MH...
类别:国产三极管参数  人 气:3  日期:2008-02-18
材料:Ge-PNP主要用途:中、高频放大PCM/mW(PCM/W):50ICM/mA(ICM/A):10BVcbo/V(BVceo/V):≥10BVebo/V:≥0.8hFE(β):--fT/MHz(...
类别:国产三极管参数  人 气:5  日期:2008-02-18
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